聊个即将冲榜的大富豪！

性能配置方面，冲榜当贝PadGO采用旗舰级MTKGenio1200芯片，并配备8G+512G超大杯存储，支持Wi-Fi6、蓝牙BT5.0、HDMI2.0、USB3.0。

在器件性能迭代发展过程中，富豪为应对短沟道效应等方面的挑战，富豪一方面人们开发了鳍式场效应晶体管（FinFET）、环栅场效应晶体管（GAAFET）和三维集成等三维结构器件和系统技术，另一方面也提出使用碳纳米管（CNT）、石墨烯和二维过渡金属硫化物（TMDC）等低维材料作为沟道发展低维电子器件（图1）。冲榜中科院金属所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部主任。

他们首先指出，富豪减少漏致势垒降低（DIBL）和亚阈值摆幅（SS）退化等短沟道效应影响的关键在于减小自然长度（naturallength），富豪它反比于晶体管的栅数量N，正比于沟道厚度TS。先后牵头或参与研发了硅—石墨烯—锗垂直异质结构高速晶体管、冲榜首例碳基时序逻辑集成电路和亚纳米原子尺度的鳍式晶体管阵列等关键技术，冲榜半导体控温芯片领域的研究成果已经成功实施科技成果转化。该研究工作得到了国家自然科学基金、富豪国家重点研究计划、中科院、兴辽英才计划和沈阳材料科学国家研究中心等项目的支持。

二、冲榜展望近日，冲榜中国科学院金属研究所的孙东明、成会明研究团队从原理、性能和未来挑战等方面评述了基于低维材料的三维结构器件和三维集成系统的发展现状，以题为面向后摩尔时代的基于低维材料的三维晶体管和集成技术（Three-DimensionalTransistorsandIntegrationBasedonLow-DimensionalMaterialsforthePost-MooresLawEra）于近日在国际著名刊物MaterialsToday上在线发表。如果能够充分结合上述两种发展策略，富豪基于低维材料的三维结构晶体管将有望实现高效的栅极控制能力和更高的器件密度，富豪推动芯片技术进一步沿着摩尔定律发展。

冲榜图4. 基于低维材料的三维结构器件与三维集成系统。

全文链接：富豪https://doi.org/10.1016/j.mattod.2022.11.023主要作者简介：富豪王肖月，中国科学技术大学材料科学与工程学院、中科院金属研究所博士研究生，主要研究方向为低维材料高速晶体管，利用新型材料与机制提升器件工作速度等性能。多雨天气，冲榜很多人发现自己家中的木地板都被浸湿，有起拱变形报废之忧。

富豪最好是撬起地板重新安装。第二：冲榜强化地板大面积泡水处理如果强化地板泡水时间没超过12小时，可以将地板上的家具挪开，用干抹布将地板表面水渍全部擦干。

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